说起PCIe5.0固态硬盘,相信大家都会想到那些读写破万兆、佩戴夸张散热片的高性能产品。但实际上,这些产品仅仅是厂家在“秀肌肉”而已,而且消费群体也不是普通用户,因此PCIe4.0仍是市场的绝对主力。今年1月三星推出“双模”产品990 EVO,为PCIe5.0应用提供了全新的思路,而9月份推出焕新升级版990 EVO Plus,性能得到大幅提升,为提升生产力的带来全新选择。
熟悉三星存储产品的同学都知道,Plus的定位是升级款产品,并没有超越系列的范畴。但这次的升级间隔仅有8个月,可见三星显然已经不满足小幅度的性能提升,而是通过半导体技术的革新,来寻求同系列的突破。实际上这次的“Plus”带来的惊喜也确实有点猛,当然PCIe5.0和PCIe4.0双平台兼容也被继承了下来。
我们先看一下这款产品的亮点(以2TB为例)
1、支持PCIe4.0x4和PCIe5.0x2双模式;
2、配备三星第八代V-NAND TLC原厂闪存颗粒;
3、配备三星5nm工艺制程自研主控芯片,采用镀镍涂层;
4、最高顺序读写速度高达7250MB/s和6300MB/s;
5、最高随机读写性能达到1050K IOPS和1400K IOPS;
6、Intelligent TurboWrite2.0技术,大幅提升了SLC缓存空间,2TB最高可达226GB;
7、电源效率比三星990 EVO固态硬盘提升73%。
1 外观一览
三星990 EVO Plus采用和990 EVO完全相同的外包装设计,依然是清爽的蓝色主视觉,搭配产品图片和大字体的型号标识,只是产品型号从EVO变成了EVO Plus,可见本次升级还是比较低调的。右下方的标签标识了产品的读取速度和容量。
三星990 EVO Plus采用黑色的PCB,但正面的散热标签比990 EVO稍小一些,这是为了照顾到单颗NAND芯片版本的美观,设计风格也稍有变化,最左侧是产品的型号,中间部分是S/N编码等信息,最右侧是产品的容量和三个二维码。标签还注明了工作的电压电流,最高理论功耗仅为6.27W,对于笔记本的电池续航非常友好。
三星990 EVO Plus采用单面元器件方案,降低发热的同时也提升了对于笔记本等紧凑型产品的兼容性,背面大面积的敷铜线路不仅有效提升了抗干扰性能,而且提升了传热效果,NAND FLASH芯片的位置同样贴有铜箔散热片,进一步提升散热效率。
揭开正面的标签,可见元器件布局也与990 EVO基本相同,依然是DRAMLess无外置缓存设计,主要部件为主控芯片和一颗NAND FLASH存储芯片,主控旁边的黑色小芯片是电源管理芯片,旁边围绕着大量的贴片电容电阻元器件。